OIT15C-NR 包含在硅光電晶體管的單片陣列中。光電晶體管在背面基板上有一個公共集電極，該集電極連接到單個焊盤，每個發射器都可以訪問特定的焊盤。陣列的光學間距為 0.45 mm，LCC 封裝電氣間距為 1.10 mm。每個元件的有效面積為 0.25 x 0.50 mm²。

該產品的(de)優點是(shi)硅傳感器的(de)高(gao)度均勻(yun)性，由于(yu)單片結(jie)構和受控的(de)微(wei)電(dian)子過程，信(xin)號的(de)高(gao)穩定性和高(gao)光學(xue)響應性，由于(yu)沉積在光電(dian)晶體管區域上的(de)抗反(fan)射涂層。

該設(she)備采(cai)用(yong)薄(bo)(bo)塑料薄(bo)(bo)膜(mo)保護，可抵抗回(hui)流爐工藝。一旦將設(she)備組裝到電子(zi)板(ban)上，就須(xu)去除(chu)薄(bo)(bo)膜(mo)，用(yong)戶可以(yi)安裝光學標(biao)(biao)(biao)線片。尺寸減小，以(yi)優(you)化成本(ben)和(he)編碼器空間。兩個參考(kao)標(biao)(biao)(biao)記(ji)可用(yong)于(yu)準確的標(biao)(biao)(biao)線定位。

• 耐焊接工藝，MSL2
• 硅電池的高均勻性
• 更小的光學間距，更寬的有效區域
• 高增益
• 非常小的尺寸
• 準確安裝的參考點
• 提供分劃板組裝服務

工作溫度范圍：-40 100 °C

儲存溫度(du)：-40 100 °C

引(yin)線溫度(du)（焊(han)錫）3s：230 °C

集電極-發射極擊穿電壓@T_A=25°C I_B=100nA I_C=1mA：50 V

功耗，T_A=25°C 時(shi)：150 mW

靜電(dian)(dian)放電(dian)(dian)敏(min)感性：3級

暗電流 V_R=10V：典型5nA，max.100 nA

響應度：0.5 A/W

峰值響應度 V_CE=5V：750 nm

光譜帶寬@50% V_CE=5V：500…950 nm

發射極-集電極電流 V_CE=7.7V：0.025…100 μA

集電極-發射極電流 V_CE=52V：0.025…100 μA

增益 V_CC=5V I_C=2mA：典(dian)型500，min.1100，max.500

飽和電壓 I_E=2mA IB=20μA：80…200 mV

通態集電極電流 V_CE=5V E_E=1.0mW/cm²：1 mA

上升時間V_CC=5V I_C=1mA R₁=1kΩ：10 μs

下降時間 V_CC=5V I_C=1mA R₁=1kΩ：10 μs

光電晶體管有效面積：0.125 mm²

有(you)效區域(yu)長(chang)度：0.25 mm

有(you)效(xiao)區域寬(kuan)度(du)：0.50 mm

光學編碼器

增量編碼器

光接收器

控制/驅動

光傳感器