當您需(xu)要滿足高速數據通(tong)信的(de)嚴格(ge)規(gui)范時(shi)，請(qing)使用我們的(de) 850 nm VCSEL 陣(zhen)列，可選擇 10G、25G、50G PAM4 和(he) 100G PAM4 VCSEL。每個 VCSEL 發(fa)射器(qi)都以多(duo)(duo)種(zhong)橫(heng)向(xiang)模式和(he)單一縱(zong)向(xiang)模式工作，并發(fa)出低發(fa)散的(de)圓形對稱(cheng)光(guang)束(shu)，可有效耦(ou)合到 50/125 和(he) 62.5/125 μm 多(duo)(duo)模光(guang)纖中。提(ti)供單芯片(pian)、4 通(tong)道(dao)和(he) 12 通(tong)道(dao)陣(zhen)列。

850 nm 多(duo)模(mo)發射

光譜寬度低

閾值和工作電流低

可靠性高

高防潮性(xing)，符合 GR468 標準

低電寄生

數(shu)據傳輸(shu)速率從直流到 10 Gb/s

雙(shuang)頂觸(chu)點配(pei)置，共(gong)陰(yin)極電極

可提供(gong)單芯片、4 通道和 12 通道陣列

符合(he) RoHS 規范

APA4301010302：數據速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM DTC VCSEL 芯片(pian) 包裝(zhuang)：金屬引線框(kuang)架上的切割晶片(pian)

APA4301040302：數據速(su)率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x4 DTC VCSEL 陣列(lie) 包裝：金屬引線(xian)框架上的切割晶片

APA4301120302：數據(ju)速(su)率10 Gb/s 描(miao)述850 nm 10 G MM 1x12 DTC VCSEL 陣列 包裝：金屬引線框架上的切割(ge)晶片

APA4301010102：數據速率10 Gb/s 描(miao)述850 nm 10 G MM DTC VCSEL 芯片(pian) 包裝：陣(zhen)列握環

APA4301040102：數(shu)據速(su)率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x4 DTC VCSEL 包裝(zhuang)：陣(zhen)列握(wo)環(huan)

APA4301120102：數據速(su)率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x12 DTC VCSEL 包(bao)裝(zhuang)：陣(zhen)列握環

APA4301010202：數據速率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM DTC VCSEL 陣列 包裝(zhuang)：Gel-Pak

APA4301040202：數據速(su)率10 Gb/s 描述850 nm 10 G MM 1x4 DTC VCSEL 陣列 包裝：Gel-Pak

APA4301120202：數據(ju)速率10 Gb/s 描(miao)述850 nm 10 G MM 1x12 DTC VCSEL 陣列(lie) 包裝(zhuang)：Gel-Pak

運輸包裝選項：

切丁晶片，UV 膠帶，金(jin)屬(shu)引線框架(jia)

握環

凝膠包裝

產地：美國

閾值電流 I_th：0.8 至 1.1 mA

斜率效(xiao)率 η I = 4 mA：0.34 至 0.52 mW/mA

光輸出功率 P_out I_op = 5 mA：1.4 至 2.2 mW

工作電壓 U_op I_op = 5 mA：1.9 至 2.1 V

差分電阻 R_d I_op = 5 mA：45 至 75 Ω

發射波長 λ I_op = 5 mA，T = -10 至85 ℃：840 至 860 nm

光譜寬度，有效值 ?λ I_op = 5mA, T = -10 至 85 ℃：0.4 nm

調制帶寬 f_3dB I_op = 5mA：9 GHz

上升時間 t_r I_op = 5mA，ER = 5dB，20 至(zhi) 80 %：30 至(zhi) 35 ps

下降時間 t_f I_op = 5 mA，ER = 5 dB，20 至 80%：40 至 45 ps

電容 C I_op = 5 mA：0.2 至 0.3 pF

光束發散 Θ I_op = 5 mA，全寬 1/e²：24 至(zhi) 30 °

相對強度噪聲 RIN(OMA) I_op = 5 mA，ER = 5 dB，7.7 GHz 帶寬：-128 dB/Hz

1x4 和 1x12 陣列芯片的閾值一致性 ?I_th 范圍：0.15 mA

斜率效率均勻性 ?η：0.05 mW/mA

光輸出功率(lv)：8 mW

峰值正向電流（Max 10 秒）：12 mA

VCSEL 反向(xiang)電(dian)壓：5 V

工作(zuo)溫度：-10 至 +85 ℃

存儲溫(wen)度：-40 至 +100 ℃

安裝(zhuang)溫度（Max 10 秒）：260 ℃

芯片外部尺寸

Min；典型值(zhi)；Max

模具長度：210；230；250 µm

模具長度(du)：960；980；1000 µm

模(mo)具長度：2960；2980；3000 µm

模具寬度：260；280；300 µm

模(mo)具高度：135；150；165 µm

單通(tong)道和(he)并行光纖(xian)通(tong)信鏈路，10 Gb/s可達(da) 300 米(mi)、智(zhi)能電纜、HDMI