由 6 個(ge)芯片(pian)硅(gui) P/N 光電二(er)極管陣(zhen)列(lie)組(zu)成的(de)光學器件，輸出信號具有高均勻性。 該器件基于 PiN 二(er)極管，具有反(fan)向偏置的(de)性能。 每個(ge)硅(gui)片(pian)的(de)有效面積(ji)為(wei) 2.5 x 1.1 mm2。

高(gao)光學響應度歸因于(yu)沉積在光電(dian)二極管(guan)有源區域上的(de)優(you)化抗反(fan)射涂層。 暗(an)電(dian)流非常適合高(gao)溫應用(yong)。

選(xuan)擇材料是為了(le)在整個溫度范圍內(nei)獲得更好的(de)性能。OID7與市場上其他標準件(jian)完(wan)全兼容，如OPR2100、OL2100、PA2100； 它在硅片（前端(duan)）和封裝(zhuang)（后端(duan)）中都有特殊(shu)設計，從而(er)提(ti)高(gao)了(le)組(zu)件(jian)的(de)可靠性。

• 高響應度 (> 0.65 A/W @ *= *p)
• 高量子效率（> 90% @ Vr=5V）
• 擴展溫度范圍 -40°C +125°C
• 廣泛的活動區域
• 快速響應時間
• 低暗電流
• 完全兼容 OPR2100-OL2100-PA2100

工作(zuo)溫度范圍：-40…125 °C

儲存溫度：-40：125 °C

引線(xian)溫度（焊(han)料）3s：260 °C

反(fan)向(xiang)擊穿電(dian)壓(ya)@TA=25°C IR=100uA：40 V

芯片對環境（封裝(zhuang)）的熱阻：110 °C/W

暗電流

T=25°C V_R=5V：典型0.35 nA ，max.5 nA

T=125°C V_R=5V：典型5 uA

響應度 V_R=5V λ=950nm：0.5…0.65 A/W

峰值響應度 V_R=5V：950 nm

光譜帶寬@50% V_R=5V：600…1050 nm

正向電壓 I_F=10mA：0.85 V

上升時間 (10%...90%) （V_R=20V R_L=50，λ=650nm ip=250uA）：40 ns

下降(jiang)時間 (90%...10%) ：40 ns

電容 V_R=0V f=10kHz Φ=0：典型20 pF，max.30 pF

有效面積：2.75 mm²

有效區域長度(du)：2.5 mm

有效區域(yu)寬度：1.1 mm

增量旋轉編碼器

增量線性編碼器

一般用途