Lumentum APD 芯片是一種基于磷化銦 (InP) 的(de)(de)器(qi)件(jian)，設計用于高達 11.3 Gbps 的(de)(de)高性能電信接收(shou)器(qi)應用。 通(tong)過提(ti)供(gong) 30 μm 孔(kong)徑的(de)(de)環形觸點，通(tong)過中(zhong)央(yang)有源區的(de)(de)頂部(bu)照明(ming)接收(shou)光信號。

P（陽極）和 N（陰極）觸點在有源區上施加反向電偏壓。 圓形 P 鍵合焊盤的直徑為 70 微(wei)米，適用于引線鍵合。

APD 適用于以 M3 和(he) M10 之(zhi)間的倍增增益因子以高達 11.3 Gbps 的速度運(yun)行。

性能通過包括 DC、CV 和 AC 測(ce)試(shi)測(ce)量的(de)晶(jing)圓測(ce)試(shi)來檢查(cha)。

<1FIT 的可靠性源自超過(guo) 400 億(yi)個(ge)現場小時。

Telcordia ESD 等級：min. 500 V型號。

• 400 x 400 x 80 微米尺寸
• 頂部照明 30 μm 孔徑
• 高帶寬
• 響應能力好
• 2 pF 電容
• 頂部引線焊盤
• 針對環氧樹脂附著進行了優化
• -40 至 +85°C 操作
• 高達3 Gbps 的性能
• 非常高的可靠性
• 大批量生產
• 強大的 ESD 性能

擊穿電壓（在黑暗中，Id=10 µA）Vbr：-26…-32 V

暗電流（在黑暗中(zhong)，Vbr * 0.9） Id9：50 毫安

3dB 帶寬，M=10（10 µW 入射 1550 nm，I=100 µA）BW_M10 ：6.0 GHz

3dB 帶寬，M=3（10 µW 入射 1550 nm，I=30 µA）BW_M3：6.0 GHz

響應度 （10 µW，1550 nm）R：1.0 A/W

在固定電壓(ya)下（（VM3 和(he) VM10，Popt = 10µW，λ=1550 nm）1610 nm 時(shi)的(de)電流比(bi)

）R1610/R1550：0.75

1300 nm 與 1550 nm 的響應率比(bi)（在固(gu)定電(dian)壓下(xia)（VM3 和 VM10，Popt =10 µW, λ=1550 nm) 時的電(dian)流比(bi)）R1300/R1550：0.70

Vbr 溫度系數（-40 至 +85°C）dVbr/dT：0.040 …0.061 Vdeg^-1

總(zong)電容(rong)（At Vbr * 0.9）C：0.22…0.25 pF

光過(guo)載（M3）Povld：-2 dBm

長途網絡

單模數據通信和電信

10G PON