Sirenza Microdevices 成(cheng)立于(yu)(yu) 1985 年(nian)，前身為 Matrix Microassembly Corporation，1992 年(nian)更名(ming)為 Stanford Microdevices, Inc.，于(yu)(yu) 2001 年(nian) 10 月更名(ming)為 Sirenza Microdevices。Stanford Microdevices 及其(qi)子公(gong)司 Premier Devices 的(de)總部現(xian)位于(yu)(yu)科羅拉多州布魯(lu)姆菲爾德，為商業通信、消費、航空航天和(he)國防設備市場設計和(he)開發射頻組件(jian)。SNA-186 是一款 GaAs 單片寬(kuan)帶放大器(qi)(qi) (MMIC)，采用低(di)成(cheng)本表面(mian)貼裝塑料封裝。 在 1950 MHz 時(shi)(shi)，該放大器(qi)(qi)在 50mA 偏(pian)置時(shi)(shi)提(ti)供 12dB 的(de)增(zeng)益和(he) + 13dBm 的(de) P1dB 功率。 使(shi)用外部電(dian)(dian)阻器(qi)(qi)可實(shi)現(xian)偏(pian)置靈動性和(he)穩定性。 這些無條件(jian)穩定放大器(qi)(qi)設計用作(zuo)通用 50 歐姆增(zeng)益模塊。 還(huan)提(ti)供芯(xin)片形(xing)式(shi) (SNA-100)，其(qi)小尺(chi)寸(cun) (0. 33mm X 0.33mm) 和(he)金金屬化使(shi)其(qi)成(cheng)為混合電(dian)(dian)路的(de)理想選擇(ze)。

• 可靠 GaAs HBT 技術
• 可級聯 50 歐姆增益模塊
• 12dB 增益，+13dBm P1dB
• 1.5:1 輸入和輸出 VSWR
• 采用單直流電源供電
• 低成本表面貼裝塑料封裝

• 設備工作電壓：3.8V
• 器件工作電流:50mA
• 器件增益溫度系數:-0.0015dB/°C
• 熱阻（結到引線）:350°C/W