H0 系列包(bao)括一個硅或銦鎵(jia)砷雪崩光(guang)電二極管,帶有(you)(you)優(you)化的低噪(zao)聲混合(he)前置放大(da)器,可用(yong)于激光(guang)測距、激光(guang)雷達(da)、分析應(ying)用(yong)。這些器件中使用(yong)的 Si-APD 有(you)(you) SAR500、SAR1500 和用(yong)于 YAG 增強應(ying)用(yong)的 SAT800,在 400 nm 到 1100 nm 波長范圍(wei)內具有(you)(you)響應(ying)性,在所有(you)(you)波長上都(dou)具有(you)(you)極快(kuai)的上升(sheng)和下降(jiang)時(shi)間。對于 900 nm 到 1700 nm 的波長范圍(wei),我們(men)使用(yong)了InGaAs-APD IAG080 和 IAG200。
所(suo)有(you)接收器均可(ke)配備InGaAs-APD,因此(ci)可(ke)覆蓋 400 - 1100 和(he) 1000 - 1650 nm 的波長(chang)范圍。
InGaAs-APD 接收器(SAR500H0、SAR1500H0)
產地:德國
存(cun)儲(chu)溫度:-55 ℃ 至 +100 ℃
工作溫(wen)度(du):-40 ℃ 至 +85 ℃
TIA 電源電壓(V):+/- 4(Min); +/- 5 ;+/- 6.5 (Max)
TIA 電源電流(liu):30 mA
功率消耗:300 mW
焊接(jie)溫度(15 秒):260 °C
噪聲測量頻率:100 kHz
操作方式:脈沖操作
有效(xiao)區域直徑:0.5 mm
波(bo)長范圍:400-1000 nm
峰值靈(ling)敏度(du):905 nm
帶寬:DC-20 MHz
響應度:
540 納米 1.35 MV/W
650 納米 2.00MV/W
905 納(na)米 2.50MV/W
NEP:
540 納米 0.10 pW/rtHz
650 納米 0.06 pW/rtHz
905 納米 0.05 pW/rtHz
輸出噪聲密度(du):100 nV/rtHz
輸入參考噪聲密度:2 pA/rtHz
輸出(chu)電壓擺幅(1 MΩ):3 V
輸(shu)出電壓擺幅 (50 o):1.5 V
輸出偏移電壓:25 mV
光(guang)電測量、軍事(shi)、汽車領域、激光(guang)測距(ju)、激光(guang)雷(lei)達、分析應用