ProE-Vap 傳(chuan)輸(shu)(shu)系統專為原子層沉積(ji) (ALD) 和(he)化(hua)學氣相(xiang)沉積(ji) (CVD) 工藝中使用的(de)固(gu)(gu)體前(qian)驅(qu)體而設(she)計。它(ta)能(neng)為當(dang)前(qian)和(he)未來(lai)技術節點中使用的(de)各(ge)種固(gu)(gu)體材料提供(gong)穩定的(de)質量流量。固(gu)(gu)體前(qian)驅(qu)體由于蒸汽壓力低、熱穩定性(xing)(xing)有(you)限，很難(nan)穩定地(di)輸(shu)(shu)送到沉積(ji)室(shi)中。ProE-Vap 系統克服了這些問題，提供(gong)了業內適配(pei)解決方案。與其他蒸發器相(xiang)比，ProE-Vap 傳(chuan)輸(shu)(shu)系統能(neng)以更低的(de)溫度(du)(du)更穩定地(di)傳(chuan)輸(shu)(shu)固(gu)(gu)體前(qian)驅(qu)體，從而降低 ALD 和(he) CVD 的(de)擁有(you)成本。它(ta)能(neng)很大(da)限度(du)(du)地(di)減(jian)少(shao)化(hua)學濃度(du)(du)漂(piao)移，從而提高晶(jing)圓產(chan)(chan)量，減(jian)少(shao)工具(ju)停機(ji)時間。自(zi) 2008 年以來(lai)，ProE-Vap 已在(zai)大(da)批量生產(chan)(chan)環境中證明了其高可靠性(xing)(xing)和(he)強大(da)的(de)性(xing)(xing)能(neng)。它(ta)支持輸(shu)(shu)送制造高度(du)(du)復雜(za)的(de)微電(dian)子器件(jian)(jian)所需(xu)的(de)各(ge)種無機(ji)和(he)過渡金(jin)屬前(qian)驅(qu)體。提供(gong)多種配(pei)置(zhi)，可安裝在(zai)不同的(de) OEM 工具(ju)套件(jian)(jian)上

用于固體前驅體輸送(song)的創新設計(ji)安(an)瓿

在較低溫(wen)度下提(ti)供(gong)更高的質量流(liu)量

支(zhi)持氣動和手動閥門選項

整體(ti)性能高，在蒸發(fa)器使(shi)用壽命內流量(liang)始終(zhong)如一

經(jing)證明可用(yong)于半導體(ti)應用(yong)中的多種固體(ti)前驅體(ti)，并可用(yong)于 LED 等其他新興技術

可有效使用前(qian)驅體，大限度(du)地減少過熱導致的(de)分解

與多個 OEM 工(gong)具兼容；支持開發型大(da)批(pi)量(liang)晶片處理

降低擁有成本

材料汽(qi)化表面積增加 6 倍(bei)

托(tuo)盤可改(gai)善材料的熱(re)傳導(dao)，從而提高熱(re)均(jun)勻性

載(zai)氣流穿過固體表面，以提高汽化(hua)材(cai)料的(de)拾(shi)取率

產地：美國

Max溫(wen)度：200 至(zhi) 250°C (392 至(zhi) 482 °F)，視配置而(er)定

Max壓(ya)力：工作溫度下 100 psig

外(wai)形尺寸(cun)（高×寬）：258.27 × 139.7 mm（10.17 × 5.5 英寸(cun)）

氣體入口位置：中軸

接頭類(lei)型：1⁄4 " 內(nei)螺紋 VCR

高度：257 mm（10.12 英寸）

氣體出口位置：偏離中軸1.5"

接頭類(lei)型(xing)：1⁄4 " 外螺紋(wen) VCR

高度(du)：258.27 mm（10.17 英寸）

材質：316L SS

表面處理：≤ 10 Ra

載氣：UHP He（氦氣）、UHP N₂（氮氣(qi)(qi)）、UHP Ar（氬氣(qi)(qi)）

頂(ding)氣：5 psi He

原子層沉積、高κ電(dian)(dian)容器和門控電(dian)(dian)容器、金屬壁(bi)壘和電(dian)(dian)極、無(wu)氟鎢 (FFW)