Powerex使用新的(de)功率(lv)半導體(ti)技術碳化(hua)硅 (SiC) 擴展我(wo)們的(de)產(chan)品供應。在需要低損耗、高(gao)頻開關和/或高(gao)溫環境(jing)的(de)電源應用中，與傳統的(de)硅基器件相比，SiC 具有(you)顯著優勢(shi)。該產(chan)品線包(bao)括SiC（碳化(hua)硅）MOSFET（金(jin)屬氧化(hua)物半導體(ti)場(chang)效應晶體(ti)管(guan)）模塊(kuai)以及混(hun)合Si/SiC（Si IGBT/SiC SBD）模塊(kuai)。

• 可直接安裝在Full-SiC模塊上
• 雙柵極驅動電路
• Full-SiC模塊檢測信號短路檢測
• 內置短路保護，軟門關閉
• 輸出峰值柵極電流為 +/-7A（max）
• 隔離電壓為2500Vrms（1分鐘）
• CMOS兼容輸入接口

• 有效率逆變器
• 高頻電源
• 高溫環境
• 節能電力系統（風扇、泵和消費電器）
• 高頻型電力系統（UPS、高速電機驅動、感應加熱、焊機和機器人）
• 高溫電力系統（電動汽車和航空系統中的電力電子）