該(gai)MOSFET能(neng)(neng)(neng)夠(gou)(gou)承受高達650伏的(de)(de)(de)漏(lou)源(yuan)電壓(ya)（VDS），適用于(yu)高電壓(ya)環境。低(di)rDS（ON）意味(wei)著(zhu)在(zai)導(dao)通狀態下(xia)，MOSFET的(de)(de)(de)電阻較小，能(neng)(neng)(neng)夠(gou)(gou)減少功(gong)耗，提高工作(zuo)效率。低(di)閾值電壓(ya)使(shi)得MOSFET在(zai)較低(di)的(de)(de)(de)柵(zha)源(yuan)電壓(ya)下(xia)即(ji)可開始導(dao)通，有(you)助于(yu)降低(di)功(gong)耗并提高響應速(su)度。低(di)柵(zha)極電荷(he)意味(wei)著(zhu)MOSFET的(de)(de)(de)開關(guan)(guan)速(su)度更快，能(neng)(neng)(neng)夠(gou)(gou)減少開關(guan)(guan)過程中的(de)(de)(de)能(neng)(neng)(neng)量損失(shi)。

• 結合高電壓能力、低rDS（ON）、低閾值電壓和低柵極電荷等特點，使得CDMSJ22013.8-650在功率因數校正和電源充電器等應用中表現良好。
• 采用先進的制造工藝和材料，確保MOSFET在高電壓、高電流條件下仍能保持穩定的性能。
• 緊湊的封裝形式使得8-650易于與其他電子元件集成，降低電路設計的復雜性和成本。

產地：美國

漏(lou)極-源極電壓(ya)：650 V

柵極-源極電壓：30 V

連(lian)續漏(lou)極電流(liu)：13.8 A

連續漏(lou)極電流（TC=100°C）：8.7 A

脈(mo)沖漏極電流(liu)：41.4 A

正向二極(ji)管電流：13.8 A

功率耗(hao)散：35.7 W

功率耗散(san)（TC=100°C）：14.3 W

工作溫度：-55 至 +150 °C

存儲接(jie)面溫度：-55 至 +150 °C

功率因數校正

電視電源

不間斷電源

PD 充電器

適配器