在(zai)晶圓(yuan)上而(er)非封裝(zhuang)內測(ce)試 Si 和(he)GaN/SiC 器(qi)件時，研發工程師(shi)和(he)測(ce)試操作員面臨著收集高(gao)精(jing)度數據的(de)一些挑戰。其(qi)中(zhong)包(bao)括需要在(zai)高(gao)電(dian)壓下抗電(dian)弧的(de)探(tan)針和(he)系統(tong)、用(yong)于高(gao)電(dian)流的(de)低電(dian)阻探(tan)針和(he)晶圓(yuan)接(jie)觸，以(yi)及(ji)對薄晶圓(yuan)的(de)特殊(shu)處理。同時，對“快速(su)獲取準確數據”的(de)需求需要快速(su)輕松地設置(zhi)復(fu)雜的(de)高(gao)功率測(ce)試配置(zhi)，同時考慮到操作員和(he)設備。Keysight的(de)緊密集成儀器(qi)完善了系統(tong)，以(yi)提供(gong)測(ce)量精(jing)度和(he)可重復(fu)性。

來自(zi) FormFactor 的(de)預(yu)先(xian)驗證、交鑰匙、綜合(he)、集成的(de)測(ce)量系(xi)統為重要的(de)測(ce)試應用(yong)提供安心(xin)和即(ji)時、開箱即(ji)用(yong)的(de)生產力。

這些是免(mian)費(fei)提(ti)供的(de)(de)(de)。FormFactor 的(de)(de)(de) IMS 解決方案(an)不包括Keysight定價或集成(cheng)費(fei)用的(de)(de)(de)加(jia)價。

這個功率半導體(ti)器(qi)件表征系統建(jian)立在研發儀器(qi)領(ling)域和分析探針系統領(ling)域——FormFactor IMS-K-Power 的基(ji)礎之上。

配備 Keysight PDA 的全面、交鑰匙集成測(ce)(ce)量系(xi)統 (IMS) 用于晶圓上研發功(gong)率(lv)半(ban)導體(ti)器件(jian)特性(xing)測(ce)(ce)量

業界有效率(lv)、準確的功率(lv)半導(dao)體器件表征系統

實(shi)現高質量測(ce)量的更快、更經濟的途徑