SmartMatrix 1500XP 在(zai)移(yi)動和商(shang)用 DRAM、圖(tu)形內(nei)存(cun) (GDDR)、高(gao)帶寬內(nei)存(cun) (HBM) 和新興內(nei)存(cun)設備上(shang)提供 300 毫(hao)米全晶圓接觸測(ce)(ce)試(shi)(shi)。 該平臺專(zhuan)為支(zhi)持快(kuai)速設計斜坡和產品路(lu)線(xian)圖(tu)而開(kai)發(fa)，擴(kuo)展了經(jing)過驗證的(de) Matrix 架(jia)構，以解決增加的(de)探(tan)針卡并行(xing)性問題，單次(ci)觸地時每(mei)個(ge)晶圓可多達1536 個(ge)站點。它使(shi)用 FormFactor 的(de)端接測(ce)(ce)試(shi)(shi)儀資源擴(kuo)展 (TTRE) 技術在(zai) x16 TRE 共享組信號上(shang)支(zhi)持更快(kuai)的(de)測(ce)(ce)試(shi)(shi)速度/時鐘速率，從 125 MHz 到 200 MHz。 SmartMatrix 1500XP 能夠在(zai) -40°C 至 160°C 范圍(wei)內(nei)測(ce)(ce)試(shi)(shi)汽車半導體高(gao)溫要(yao)求。

SmartMatrix 1500XP 的高(gao)性(xing)能和較短的交(jiao)付時間(jian)為(wei)當今(jin)的 DRAM 和存儲設備實(shi)現(xian)了產量優化和更快的上市時間(jian)。

DRAM測試更高(gao)的(de)并行(xing)度、更高(gao)的(de)效(xiao)率和更低的(de)成本

• 通過使用 ATRE 在一次著陸時同時測試 1500 多個 DUT 來提高吞吐量
• 在不影響信號保真度的情況下將測試速度從 125 MHz 提高到 200 MHz

具有頂(ding)部(bu)位置和(he)性能的堅(jian)固 3D MEMS 彈簧

• 可擴展的 3D MEMS MicroSpring 技術支持靈活的焊盤布局和接觸性能
• 使接觸墊幾何收縮與技術節點過渡到 1x、1y 和 1z nm 節點一致
• 具有大 3D 彈簧橫截面的載流能力

良好的熱(re)性(xing)能和設計靈(ling)活性(xing)

• 具有各種 CTE 的全晶圓接觸器基板，針對單溫度和雙溫度設計進行了優化
• 通過在單一溫度設計上實現 50% 以上的保溫時間減少來提高測試單元效率
• 采用晶圓后技術的 FormFactor 3D MEMS MicroSpring 可實現汽車要求的 160C 測試

生產正常運行時間長

• 在批量生產環境中始終實現超過 95% 的正常運行時間

易用性和可維護性

• 使用測試單元上的探針卡進行實時平面度調整和優化功能

• 現(xian)場單彈簧(huang)維修和探頭更(geng)換能力可減(jian)少服務事件的時間損失并提高設備效(xiao)率