利用半(ban)導(dao)體的(de)(de)(de)壓阻(zu)(zu)效應(ying)和微(wei)機械加工(gong)技術,在(zai)單晶硅片的(de)(de)(de)特(te)定晶向上,用光刻、擴散等(deng)半(ban)導(dao)體工(gong)藝制做一惠斯登電(dian)橋,形成敏感(gan)膜片,當受到外(wai)力作用時產生微(wei)應(ying)變(bian),電(dian)阻(zu)(zu)率發生變(bian)化,使橋臂電(dian)阻(zu)(zu)發生變(bian)化(一對變(bian)大一對變(bian)小)在(zai)激勵電(dian)壓信(xin)號輸出(chu),經過(guo)計算機溫度補償、激光調(diao)阻(zu)(zu)、信(xin)號放(fang)大等(deng)處(chu)理(li)手段和嚴格的(de)(de)(de)裝配檢測、標(biao)(biao)定等(deng)工(gong)藝,生產出(chu)具有標(biao)(biao)準輸出(chu)信(xin)號的(de)(de)(de)壓力變(bian)送器(qi)
公稱(cheng)壓力 0 至 10 巴
符(fu)合 V 1.1 規范的 IO-Link
精度 0.5 % FSO
硅傳感器,RTV
結構緊湊
產地:德國
輸入壓力范圍
額(e)定壓力表:10 bar
超壓:13 bar
輸出信號 / 電源
標準 IO-Link(測量值和狀態傳輸)/ VS = 18 至 30 VDC
SIO(開關輸出(chu)),通過 LED 指示狀(zhuang)態(綠(lv)色)
IO-Link:V 1.1 / 從站 / 智(zhi)能傳感器配置文件(jian)
數據傳(chuan)輸:COM2 38.4 kbit/s
模式:SIO / IO-Link (COMx)
標(biao)準:IEC 61131-2、IEC 61131-9
精(jing)度:≤ ± 0.5 % FSO
開關電(dian)流(SIO 模式):max. 200 mA
開關頻率:max. 200 Hz
開關周期:> 100 x 106
長(chang)期穩定性:≤ ± 0.3 % FSO /年(nian)(參考(kao)條件下
開啟時間 SIO 模(mo)式:約. 20 ms
響應(ying)時間 SIO 模式:< 4 ms
測量速率:400 Hz
熱效應(ying)(偏移和跨度(du)(du))/允許溫度(du)(du)
公差帶:≤ ± 2 % FSO
TC,平均值:≤ ± 0.4 % FSO / 10 K
補償溫度范圍:0 至(zhi) 50 °C
中 / 電(dian)子 / 環境(jing)溫(wen)度:-25 至 85 °C
存(cun)儲溫度(du):-40 至 85 °C
電氣保護
短路保護:長久性
反極(ji)性保護:無損壞,但也無功能
電(dian)磁兼容性:發射和抗(kang)擾性符合 EN 61326 標(biao)準(zhun)
機械(xie)與設備工(gong)程、暖通(tong)空調