KEMET 鉭堆聚合物 (TSP) 電(dian)解(jie)電(dian)容器旨(zhi)在在表(biao)面貼裝配置(zhi)中(zhong)提供較高的 CV（電(dian)容/電(dian)壓）額定值。KEMET 的所有聚合物電(dian)解(jie)解(jie)決方案都提供堆疊(die)配置(zhi)。除此例外是面朝下系列（T523、T527、T528 和 T529）。

這些電(dian)容(rong)器(qi)以 2、3、4 和 6 個組件的堆(dui)疊(die)形式使用，以實現廣(guang)泛(fan)的電(dian)容(rong)、ESR 和電(dian)壓額(e)定(ding)值。對(dui)于(yu)額(e)定(ding)電(dian)壓大于(yu)10伏的部件型號，可以在高(gao)達額(e)定(ding)電(dian)壓80%的穩態電(dian)壓下工(gong)作。堆(dui)疊(die)配置允許自定(ding)義電(dian)容(rong)/電(dian)壓解決方案和非常低的ESR選項。

當使用 KEMET 的(de)(de) T540 和(he) T541 系列時(shi)，TSP 系列是一款具有(you)故(gu)(gu)障(zhang)率選項(xiang)的(de)(de)聚合(he)物電(dian)(dian)解電(dian)(dian)容器。故(gu)(gu)障(zhang)率是通過利(li)用應用于板(ban)載(zai)樣品的(de)(de)加(jia)速條(tiao)件（電(dian)(dian)壓(ya)和(he)溫度(du)）來評(ping)估長期設(she)備可(ke)靠性來確定的(de)(de)。可(ke)用的(de)(de)故(gu)(gu)障(zhang)率為 B（每(mei)(mei) 1,000 小(xiao)(xiao)時(shi) 0.1%）、C（每(mei)(mei) 1,000 小(xiao)(xiao)時(shi) 0.01%）和(he) D（每(mei)(mei) 1,000 小(xiao)(xiao)時(shi) 0.001%）。

• 聚合物陰極技術
• 高電容
• 表面貼裝
• 電容值為 20 – 8,000 µF
• 電容可以自定義
• 額定電壓為 3 – 63 VDC
• 容積效率高
• 超低 ESR
• 浪涌能力
• 工作溫度范圍為 -55°C 至 +105°C/+125°C
• 激光標記外殼
• 對于 ≤ 10 V 的部件類型，使用高達 90% 的額定電壓
• 對于 > 10 V 的部件類型，使用高達 80% 的額定電壓
• KEMET 的 KO-CAP 可靠性評估方法（針對分立元件 T540 和 T541）

典型應用包括(kuo)各種細分(fen)市場中的去耦(ou)、保持和(he)濾波。

T540/T541 和 T543 聚合(he)物 HRA 以(yi)及其(qi)他鉭 MnO2 HRA 和 MIL-PRF 堆棧(zhan)器(qi)件可(ke)用(yong)于國防(fang)和航(hang)空航(hang)天(tian)設備，包(bao)括用(yong)于雷達的高功率放大器(qi)和多種應用(yong)，其(qi)中 GaN 有源元件是設計(ji)的一(yi)部分。