KEMET 電(dian)(dian)(dian)源解決方案 - 低損耗 (KPS MCL) 高(gao)(gao)溫 SMPS 陶瓷堆疊電(dian)(dian)(dian)容器(qi)將堅固(gu)且專(zhuan)有的 C0G/NPO 賤金屬電(dian)(dian)(dian)極 (BME) 介電(dian)(dian)(dian)系統與耐用的引線框(kuang)架技術(shu)相結合,適(shi)用于高(gao)(gao)溫和高(gao)(gao)功率 SMPS 應用。 這些設備專(zhuan)為滿足惡劣(lie)工業環(huan)境的需求而設計(ji),例如井下石油勘探(tan)和汽車/航空電(dian)(dian)(dian)子發動機艙電(dian)(dian)(dian)路(lu)。
KPS-MCL 由大型芯片多(duo)層陶(tao)瓷電(dian)容器 (MLCC) 構成(cheng),垂直堆(dui)疊并使(shi)用高熔點(dian) (HMP) 焊料合金固(gu)定到引線(xian)框(kuang)架終(zhong)端系統。在引線(xian)框(kuang)架中垂直堆(dui)疊電(dian)容器可實現更低(di)的(de) ESR(低(di)損耗)和熱阻,從而轉化為非(fei)常高的(de)紋(wen)波電(dian)流(liu)能力。引線(xian)框(kuang)架將 MLCC 與印刷(shua)電(dian)路(lu)板 (PCB) 隔離,同(tong)時(shi)建立并聯電(dian)路(lu)配(pei)置。
將電(dian)容(rong)器與 PCB 機械隔(ge)離可提(ti)高機械和熱應力性能,而并聯(lian)電(dian)路配(pei)置允許在(zai)相同或(huo)更小的(de)設計占位面(mian)積中使(shi)用大容(rong)量電(dian)容(rong)。
KEMET 的(de)高(gao)溫 C0G 電(dian)(dian)(dian)(dian)容器具有溫度補償功(gong)能,非常適合諧(xie)振電(dian)(dian)(dian)(dian)路應(ying)用,或需要 Q 和(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)容特性穩定性的(de)應(ying)用。它(ta)們(men)的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)容隨時間和(he)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓沒有變(bian)化(hua),相對于環境溫度,電(dian)(dian)(dian)(dian)容的(de)變(bian)化(hua)可以忽略不計。從 -55°C 到(dao) +200°C,電(dian)(dian)(dian)(dian)容變(bian)化(hua)限制在 ±30 ppm/ºC。此外,這些電(dian)(dian)(dian)(dian)容器在高(gao)達 +200°C 的(de)高(gao)溫下表現出(chu)高(gao)絕緣電(dian)(dian)(dian)(dian)阻和(he)低損(sun)耗因數。它(ta)們(men)還在高(gao)頻下表現出(chu)低 ESR,并提(ti)供比競爭(zheng)性高(gao)溫 BME 陶瓷(ci)電(dian)(dian)(dian)(dian)容器器件(jian)更高(gao)的(de)容積(ji)效率(lv)。
1.DWV 是電容(rong)器在短時(shi)間內可以承受的電壓(ya)。 它超過了電容(rong)器的標(biao)稱和連續工(gong)作(zuo)電壓(ya)。
2.在(zai)以(yi)下條(tiao)件下測量的電容(rong)和損耗因數 (DF):
如(ru)果電容 ≤ 1,000 pF,則為 1 MHz ±100 kHz 和 1.0 ±0.2 Vrms。
如果電容 > 1,000 pF,則為 1 kHz ±50 Hz 和 1.0 ±0.2 Vrms。
3.要獲得 IR 限(xian)制,請將 MΩ - µF 值除(chu)以電容并與 GΩ 限(xian)制進(jin)行(xing)比較。選(xuan)擇兩個限(xian)制中較低的(de)一個。
注意:測量電(dian)(dian)容時(shi),重要的是(shi)要確保(bao)設(she)置(zhi)的電(dian)(dian)壓電(dian)(dian)平(ping)保(bao)持(chi)恒定。 HP4284 和 Agilent E4980 具有(you)稱為自動電(dian)(dian)平(ping)控(kong)制 (ALC) 的功(gong)能。ALC 功(gong)能應該切換到“ON”。