MicroSeal 系列(lie)是(shi)高(gao)(gao)純度、高(gao)(gao)完(wan)整性密(mi)(mi)(mi)(mi)封(feng)件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)完(wan)整產(chan)品(pin)線，適用(yong)于(yu)工(gong)業(ye)和(he)半導體應(ying)用(yong)，包括低流(liu)量(liang)(liang)、高(gao)(gao)流(liu)量(liang)(liang)、高(gao)(gao)壓(ya)(ya)和(he)低壓(ya)(ya)降。我們(men)還提供孔(kong)口密(mi)(mi)(mi)(mi)封(feng)件(jian)(jian)(jian)和(he)盲孔(kong)密(mi)(mi)(mi)(mi)封(feng)件(jian)(jian)(jian)，用(yong)于(yu)封(feng)閉備用(yong)端口。其他(ta)主要優點包括高(gao)(gao)清潔度和(he)無源、富鉻、低 Ra 表面(mian)光潔度。MicroSeals 可(ke)改裝為標準的(de)(de) “C ”型密(mi)(mi)(mi)(mi)封(feng)系統。我們(men)的(de)(de)密(mi)(mi)(mi)(mi)封(feng)件(jian)(jian)(jian)符(fu)合(he)(he) SEMI 標準 PR 3.1、3.5 和(he)新的(de)(de)大流(liu)量(liang)(liang)標準。MicroSeal 的(de)(de)設計(ji)具有更(geng)柔(rou)軟(ruan)、更(geng)順從(cong)的(de)(de)界面(mian)，可(ke)根據配合(he)(he)表面(mian)自行成(cheng)型，確(que)保泄漏密(mi)(mi)(mi)(mi)封(feng)性，并在(zai)不犧牲回彈(dan)(dan)特性的(de)(de)情況下減免泄漏。這是(shi)市場上(shang)具有高(gao)(gao)回彈(dan)(dan)性的(de)(de)高(gao)(gao)順應(ying)性密(mi)(mi)(mi)(mi)封(feng)件(jian)(jian)(jian)。MicroSeals 的(de)(de)回彈(dan)(dan)率是(shi)同(tong)類密(mi)(mi)(mi)(mi)封(feng)件(jian)(jian)(jian)設計(ji)的(de)(de)十倍之多，而且(qie)對空腔公差(cha)的(de)(de)容忍度高(gao)(gao)。這確(que)保了密(mi)(mi)(mi)(mi)封(feng)面(mian)在(zai)惡劣壓(ya)(ya)力(li)、溫度和(he)振動(dong)條件(jian)(jian)(jian)下保持緊密(mi)(mi)(mi)(mi)接觸。微密(mi)(mi)(mi)(mi)封(feng)件(jian)(jian)(jian)組件(jian)(jian)(jian)，符(fu)合(he)(he) SEMI PR3.1 標準，用(yong)于(yu)質(zhi)量(liang)(liang)流(liu)量(liang)(liang)控制器，1-1/8" 表面(mian)貼(tie)裝

優化的內徑，可在中流(liu)量、高流(liu)量、蒸汽和(he)液(ye)體輸送系統中實現低壓降

低壓縮率(lv)，確(que)保氣體/液體輸送系統的高可(ke)靠性

密封回彈力是傳(chuan)統設計(ji)的 10 倍(bei)，可在沖擊(ji)和振動(dong)條(tiao)件(jian)下(xia)實現泄漏完整性

符合 SEMI PR 3.1 和 3.5 標準

高純度雙熔體 316 不銹鋼(gang)

潔凈被動式富鉻表面

5 Ra 潤濕表面(mian)處理

減免了高(gao)成本(ben)的(de)返工和報廢(fei)現象

產地：美國

材料：316L VIM VAR

鉻(ge)(ge)/鐵比率：鉻(ge)(ge)/鐵比率 > 2.0

氧化(hua)(hua)物厚度（減碳）：氧化(hua)(hua)鉻厚度 > 20 埃

表面粗(cu)糙度：10 微英(ying)寸

缺(que)陷：每(mei)個(ge)位置少于(yu) 25 個(ge)缺(que)陷

設計壓力：5000 psig

外側泄漏：<1×10^-9 atm·cc/s He

內側泄漏：<7×10^-11 atm·cc/sec He

內側泄漏： 測試后 <1×10^-9 atm·cc/sec He

內板泄漏：扭矩設置的 80 % 和 120 % 時，<1 ×10^-9 atm·cc/s He

板泄漏： 經過 20 次重做循環后，<1 ×10^-9 atm·cc/s He

在 50、75 和 100 ft/lbs 下測試后，板泄漏：<1 ×10^-9 atm·cc/s He

溫度循(xun)環(huan)(huan)：室(shi)溫：100 ℃、室(shi)溫 -10 ℃；五個(ge)循(xun)環(huan)(huan)

溫(wen)度沖擊測(ce)試：200 至 -196 ℃

壓縮負載測試：0.062 英寸(cun)壓縮到 0.050 英寸(cun)

工業、半導體