MINI-CIRCUITS開關ZX80-DR230-S+
- 品 牌：MINI-CIRCUITS
- 型(xing) 號：ZX80-DR230-S+
- 技(ji)術(shu)資(zi)料(liao)：
- 閱讀次數：2018
產品介(jie)紹
ZX80-DR230-S+是一款50Ω高隔(ge)離度SPDT RF開(kai)關(guan)，專為無線應用而設計，涵(han)蓋了直流至3GHz的(de)(de)寬(kuan)頻(pin)率范圍(wei)，插入損耗低。 ZX80-DR230-S+可(ke)在單個(ge)電源電壓范圍(wei)為+ 2.7V至+ 5V。 該單元包括一個(ge)帶(dai)有兩(liang)引腳控制(zhi)(zhi)的(de)(de)內部CMOS控制(zhi)(zhi)驅動器(qi)。ZX80-DR230-S+使用獨特的(de)(de)外殼包裝生產，堅(jian)固耐用，可(ke)在惡劣環境下操作。
性能特點
整個頻率范圍內的低插入損(sun)耗
整(zheng)個頻率(lv)范圍內的(de)高(gao)隔離度
高輸(shu)入(ru) IP3，+55 dBm typ.
單一正電(dian)(dian)源電(dian)(dian)壓，+2.7V 至 +5V
獨特的設計--同時關閉 RF1 和 RF2
堅固的一體式外殼
技術參數
產地：美國
VDD，電(dian)源電(dian)壓：2.7-5.0 V
電源電流（VDD = 5V）：0.5-1.0 mA
控制電壓低(di)：0.4 V
控制電壓高：2.4 V
控制電(dian)流（每個(ge)引腳(jiao)）：0.5 - 1.0 mA
切換時間，50% CTRL 至 90/10% RF：2.0 µSec
視頻饋通，5 MHZ - 1000 MHz：15 mVp-p
工作溫度：-40°C 至 85°C
存儲溫度：-55°C至100°C
VDD，電源電壓：-0.3V Min. 6V Max
控制電壓(ya)：-0.3V Min. 6V Max
ESD，HBM：1000V
射頻輸入功率
當公(gong)共端口與 RF 端口（RF1 或(huo) RF2）連接時：+33dBm
RF 端口(kou)(kou)（RF1 或 RF2）未連接(jie)至(zhi)公共端口(kou)(kou)時：+24dBm
當(dang)公共端(duan)口未連接至 RF1 或 RF2 時：+24dBm
重量：56.0
產品尺寸
|
單位 |
A |
B |
C |
D |
E |
F |
G |
H |
J |
K |
L |
M |
N |
P |
Q |
R |
S |
|
英寸 |
1.780 |
0.110 |
0.115 |
0.750 |
0.106 |
0.430 |
0.100 |
0.270 |
0.350 |
0.500 |
0.420 |
0.610 |
0.370 |
0.500 |
0.400 |
0.500 |
0.380 |
|
毫米 |
45.21 |
2.79 |
2.92 |
19.05 |
2.69 |
10.92 |
2.54 |
6.86 |
8.89 |
12.70 |
10.67 |
15.49 |
9.39 |
12.70 |
10.16 |
12.70 |
9.65 |
詳細參數(shu)
|
參數 |
條件 |
Min |
Typ. |
Max |
單位 |
|
工作頻率 |
|
DC(note 3) |
|
3000 |
Mhz |
|
插入損失 |
1 GHz 2 GHz 3 GHz |
|
0.7 0.9 1.2 |
1.3 1.6 1.8 |
dB |
|
公(gong)共端口和(he)RF1ARF2端口之間的隔離
|
1 GHz 2 GHz 3 GHz |
55 46 35 |
64 50 44 |
|
dB |
|
RF1和RF2端(duan)口之間的(de)隔離(li) |
1 GHz 2 GHz 3 GHz |
60 54 37 |
63 60 48 |
|
dB |
|
普通端口回波損耗
|
1 GHz 2 GHz 3 GHz |
|
20 17 15 |
|
dB |
|
RF1 / RF2端口的回(hui)波損耗
|
1 GHz 2 GHz 3 GHz |
|
17 15 15 |
|
dB |
|
InputIp2 （注1） |
5 MHz - 1000 MHz |
|
+80 |
|
dBm |
|
輸入IP3 （注1） |
10 MHz - 3000MHz |
|
+55 |
|
dBm |
|
輸入1dB壓縮 （注釋1,2） |
1000 MHz |
+28 |
+31 |
|
dBm |
