AHV85110針對驅(qu)(qu)動(dong)多種應(ying)用(yong)和拓撲中(zhong)的(de)GaNFET進(jin)行了(le)優化(hua)。一個隔離(li)式輸出偏置(zhi)電(dian)源(yuan)集(ji)成在(zai)驅(qu)(qu)動(dong)器(qi)器(qi)件中(zhong)，無需(xu)任何(he)外部驅(qu)(qu)動(dong)輔助(zhu)偏置(zhi)電(dian)源(yuan)或(huo)自舉。這大(da)大(da)簡化(hua)了(le)系統(tong)設(she)計(ji)，并通過降(jiang)低(di)總共模(mo)（CM）電(dian)容來降(jiang)低(di)EMI。它還允(yun)許在(zai)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)拓撲中(zhong)的(de)任何(he)位(wei)置(zhi)驅(qu)(qu)動(dong)浮動(dong)開(kai)關(guan)。該驅(qu)(qu)動(dong)器(qi)具有快速傳(chuan)播延遲和高(gao)(gao)峰值拉(la)電(dian)流/灌電(dian)流能力，可在(zai)高(gao)(gao)頻設(she)計(ji)中(zhong)驅(qu)(qu)動(dong)GaNFET。高(gao)(gao) CMTI 與用(yong)于(yu)偏置(zhi)功率和驅(qu)(qu)動(dong)的(de)隔離(li)輸出相結合，使其成為需(xu)要隔離(li)、電(dian)平轉換或(huo)接地隔離(li)以實現(xian)抗噪性(xing)的(de)應(ying)用(yong)的(de)理想(xiang)選擇。

• 直通集成隔離偏置
• 無外部二次側偏壓
• 快速響應啟用引腳
• 持續接通能力，無需回收IN或重新充電自舉電容器

• 50 ns傳播延遲，具有5 ns的優良器件對器件匹配
• 單獨的驅動器輸出引腳：上拉（2.8Ω）和下拉（1.0Ω）
• 電源電壓10.5 V<VDRV<13.2 V
• 通過絕緣DTI的距離≥ 450微米