Vishay 推出(chu)一款采用無(wu)引線鍵合（BWL）封(feng)裝并具(ju)有業內先(xian)進導通電阻(zu)的(de)新款 80 V TrenchFET® Gen IV N 溝道功率 MOSFET，旨在提高工業應用的(de)效率。與相(xiang)同尺寸的(de)競品器件相(xiang)比，Vishay Siliconix SiEH4800EW 的(de)導通電阻(zu)低(di) 15 %，而 RthJC 低(di) 18 %。

該器(qi)件在 10 V 下的(de)(de)導(dao)通電(dian)子典型(xing)值為 0.88 mΩ，最大限(xian)度降低了(le)傳導(dao)造成的(de)(de)功(gong)率(lv)損耗，從而提高了(le)效率(lv)，同時以低至 0.36 ℃/W 的(de)(de)最大 RthJC 改善了(le)熱性能。這款節省空(kong)間的(de)(de)器(qi)件體(ti)積為 8 mm x 8 mm，與采用 TO-263 封裝的(de)(de) MOSFET 相比(bi)，PCB 面積減少 50 %，而且其厚(hou)度僅(jin)為 1 mm。

SiEH4800EW 采用融合的(de)焊(han)盤(pan)，將源(yuan)焊(han)盤(pan)的(de)可焊(han)面(mian)積(ji)增(zeng)加(jia)到(dao) 3.35 mm2，比傳統 PIN 焊(han)接面(mian)積(ji)大(da)四倍。這降(jiang)低(di)了 MOSFET 和 PCB 之間的(de)電流密度，從而降(jiang)低(di)了電遷移的(de)風險，使(shi)設(she)計更加(jia)可靠。此外，器(qi)件易(yi)于(yu)吸附焊(han)錫的(de)側(ce)翼增(zeng)強了可焊(han)性(xing)，同時更容易(yi)通過目(mu)視檢查焊(han)點的(de)可靠性(xing)。

這款 MOSFET 非常適(shi)合同步(bu)整(zheng)流和 Oring 應用(yong)。典(dian)型應用(yong)包括電機(ji)驅動(dong)控制器(qi)(qi)、電動(dong)工具、焊(han)接設備、等(deng)離子切(qie)割機(ji)、電池管理系統(tong)、機(ji)器(qi)(qi)人和 3D 打(da)印(yin)機(ji)。在這些應用(yong)中，該器(qi)(qi)件(jian)可在 + 175 ℃ 的高溫下工作，而其 BWL 設計可將寄生(sheng)電感降至最低(di)，同時使電流能力最大化。

MOSFET 符合 RoHS 標準(zhun)，無鹵素，并(bing)且經過 100 % 的 Rg 和 UIS 測試。

對比(bi)表：D2PAK、PowerPAK 8x8L 和 PowerPAK 8x8SW 對比(bi)

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